當地時間1月16日，美光科技在美國紐約州奧農達加縣總投資1000億美元的巨型晶圓廠正式破土動工。

據報道，美光的紐約州晶圓廠計劃涉及四個晶圓廠階段，潔凈室面積約為 600,000 平方英尺（約 55,700 平方米），總投資將達1000億美元。該項目是紐約州歷史上規模最大的私人投資項目，建成后將成為全球最先進的存儲器制造基地，并有助于滿足現代經濟核心——人工智能系統日益增長的需求。

美光科技董事長、總裁兼首席執行官桑杰·梅赫羅特拉 (Sanjay Mehrotra)表示： “如今，美國本土生產的內存占比為零，但未來十年，40%的尖端內存將在美國本土生產。好比大腦需要更多更快的記憶一樣，人工智能也需要數據，需要更快更大的內存。美光將在美國本土生產這些內存。”

此外，在美光紐約州巨型晶圓廠奠基儀式上，美國商務部長霍華德·盧特尼克警告稱，包括存儲芯片制造商如果不在美國投資，可能面臨“100%半導體關稅”。任何想制造存儲芯片的廠商（想要進入美國市場）都有兩個選擇：要么支付 100% 的關稅，要么在美國建廠制造。與中國臺灣的貿易協議中的半導體關稅也可能影響韓國芯片制造商。

美國政府正式宣布將中國臺灣對美出口稅率降至15%，相比之前的約20%稅率進一步降低。但是，中國臺灣半導體與科技企業需要至少對美國新增直接投資2,500億美元，中國臺灣省還要提供2500億美元信用保證支持，以擴大美半導體、能源及人工智能的生產與創新能力。

如果總部位于中國臺灣但不在美國建廠的芯片公司可能面臨100%的關稅。而對于已經或計劃在美國投資的半導體廠商，美國政府也披露了“半導體關稅豁免”的條件：中國臺灣半導體廠商承諾在美國設廠，在建廠期間，就可以免關稅進口相當于建廠產能2.5倍的半導體。舉例來說，如果中國臺灣半導體廠商在美國建設100萬片晶圓的產能，在施工期間就可以免關稅進口250萬片晶圓。

當日，對于媒體提問“與中國臺灣達成的半導體關稅豁免標準是否也適用于韓國？”，一位特朗普政府官員表示，“將為不同的國家和地區單獨達成協議。”