SiC 技術(shù)重磅突破！瀚天天成全球首發(fā) 12 英寸碳化硅外延晶片。相較于當(dāng)前主流的 150mm（6 英寸）碳化硅外延晶片，以及尚處產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)階段的 200mm（8 英寸）產(chǎn)品，300mm（12 英寸）晶片憑借直徑的顯著擴(kuò)容，在相同生產(chǎn)工序下，單片可承載的芯片（器件）數(shù)量實(shí)現(xiàn)大幅提升 —— 較 6 英寸晶片提升至 4.4 倍，較 8 英寸晶片提升至 2.3 倍。這一突破不僅能顯著提高下游功率器件的生產(chǎn)效率，更將大幅降低碳化硅芯片的單位制造成本，助力瀚天天成構(gòu)建技術(shù)領(lǐng)先的核心競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，為碳化硅產(chǎn)業(yè)規(guī)模化、低成本應(yīng)用奠定關(guān)鍵基礎(chǔ)。

第三代半導(dǎo)體碳化硅比第一代硅半導(dǎo)體擁有更優(yōu)的高頻、高壓、高溫能力，能夠?qū)崿F(xiàn)系統(tǒng)更低的能耗、更小的體積和重量。2025年全球擁有約200條12英寸硅晶圓生產(chǎn)線，預(yù)測(cè)全球銷售超過(guò)1億片12英寸硅晶圓，其中包括眾多的硅功率及模擬芯片生產(chǎn)線。激烈的碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)預(yù)期也將進(jìn)入12英寸時(shí)代，技術(shù)領(lǐng)先的企業(yè)將形成強(qiáng)大的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

瀚天天成是中國(guó)首家實(shí)現(xiàn)商業(yè)化3英寸、4英寸、6英寸碳化硅外延晶片批量供應(yīng)的生產(chǎn)商。2023年5月成為大中華區(qū)首家突破8英寸碳化硅外延晶片技術(shù)的生產(chǎn)商，2024年成為全球唯一實(shí)現(xiàn)8英寸碳化硅外延晶片批量銷售的企業(yè)。2025年10月入選國(guó)家級(jí)制造業(yè)(碳化硅外延晶片)單項(xiàng)冠軍公示名單。是國(guó)家級(jí)專精特新重點(diǎn)小巨人企業(yè)（第一年第一批）。公司主導(dǎo)編寫了全球首個(gè)及目前唯一的碳化硅外延國(guó)際SEMI標(biāo)準(zhǔn)《4H-SiC同質(zhì)外延片標(biāo)準(zhǔn)》（SEMI M092-0423 Specification for 4H-SiC Homo-epitaxial Wafer）。公司產(chǎn)品用于制備碳化硅功率器件，被廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏發(fā)電、AI電源、軌道交通、智能電網(wǎng)及航空航天等領(lǐng)域。根據(jù)灼識(shí)咨詢研報(bào)，公司2023年已成為全球最大規(guī)模的碳化硅外延晶片供應(yīng)商，2024 年全球市場(chǎng)份額超過(guò) 31%。

據(jù)了解，瀚天天成依托研發(fā)團(tuán)隊(duì)的自主技術(shù)攻堅(jiān)，在廈門翔安區(qū)碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園成功開(kāi)發(fā)出全球首款 12 英寸高質(zhì)量碳化硅外延晶片。該產(chǎn)品的核心供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化協(xié)同：外延設(shè)備采用晶盛機(jī)電旗下求是半導(dǎo)體的國(guó)產(chǎn)設(shè)備，襯底則由晶盛機(jī)電另一子公司浙江晶瑞（SuperSiC）提供。目前，瀚天天成已啟動(dòng) 12 英寸碳化硅外延晶片的批量供應(yīng)籌備工作。產(chǎn)品在關(guān)鍵性能指標(biāo)上表現(xiàn)優(yōu)異：外延層厚度不均勻性控制在 3% 以內(nèi)，摻雜濃度不均勻性≤8%，2mm×2mm 芯片良率大于 96%，可充分滿足下游功率器件領(lǐng)域的高可靠性應(yīng)用需求。