據韓媒Etnews及多家行業媒體最新報道，存儲巨頭閃迪（SanDisk）已正式按下“加速鍵”，開始建立高帶寬閃存（HBF）的樣品生產線。這一存儲技術旨在填補HBM與SSD之間的性能鴻溝，為AI推理時代提供全新的存儲解決方案。

消息指出，閃迪目前正在緊鑼密鼓地與材料、零部件及設備供應商接洽，構建HBF原型生產線的生態系統。據某材料行業高層人士透露，閃迪的目標是在今年下半年引入關鍵設備，部分企業甚至已經開始討論采購訂單（PO）。

業界普遍預測，閃迪的試點生產線將于2026年下半年建成，并在年底前投入運營，力爭在2027年實現HBF產品的正式商業化。另有消息人士向The Bell透露，隨著樣品生產的正式啟動，閃迪似乎將比此前公布的路線圖提前約六個月完成開發目標。

作為NAND閃存領域的頭部廠商，閃迪此次加速布局HBF，被視為其在AI存儲市場的一次關鍵突圍。由于目前產品組合中缺乏基于DRAM的高帶寬內存（HBM），閃迪正全力以赴通過HBF這一差異化技術，在AI存儲這一新興藍海中搶占先機。

HBF（High Bandwidth Flash）并非簡單的閃存升級，而是一種架構層面的創新。其核心結構與目前火熱的HBM（高帶寬內存）類似，但關鍵區別在于堆疊介質：HBM堆疊的是DRAM，而HBF堆疊的是NAND閃存。

“HBM之父”、韓國科學技術院（KAIST）教授金正浩解釋兩者的區別：“HBM好比書房，容量雖小但取用極其方便（低延遲）；而HBF則好比圖書館，雖然距離稍遠（延遲略高），但藏書量巨大（大容量）。”

在AI大模型參數呈指數級增長的今天，僅靠昂貴的HBM已難以滿足海量數據的讀取需求，而傳統的SSD速度又太慢。HBF正是為了解決這一痛點而生。它通過借鑒HBM成熟的3D堆疊和硅通孔（TSV）技術，將NAND閃存的帶寬提升至接近HBM的水平，同時保留了NAND低成本、大容量和非易失性（斷電保存數據）的優勢。

在推進HBF商業化上，閃迪已拉攏了SK海力士。今年2月，SK海力士與閃迪聯合宣布在開放計算項目（OCP）框架下成立專屬工作組，正式啟動HBF全球標準化進程。SK海力士作為HBM領域的霸主，擁有頂尖的堆疊封裝技術；而閃迪則是HBF概念的提出者和商業化先行者。兩者的強強聯合，意在通過制定行業標準，加速HBF生態的成熟。

與此同時，三星電子也已加入這一陣營，計劃獨立開發HBF產品。隨著三大存儲巨頭的集體入局，HBF有望成為繼HBM之后，AI硬件領域的下一個爆發點。

根據規劃，2026年下半年閃迪推出HBF原型產品，試點產線建成；2027年初搭載HBF的AI推理設備預計出樣；2027年底至2028年初： HBF技術有望集成至英偉達、AMD及谷歌的相關產品中。