在第三代半導體技術競爭日趨激烈的背景下，全球半導體產業(yè)又迎來一項關鍵合作。世界先進積體電路股份有限公司（以下簡稱“世界先進”）于1月28日宣布，已與臺灣積體電路制造股份有限公司（臺積電）正式簽署高壓（650V）與低壓（80V）氮化鎵（GaN）制程技術的授權協(xié)議。此項合作標志著雙方在化合物半導體領域的戰(zhàn)略布局進一步深化，旨在加速新一代高效能電源解決方案的開發(fā)與商業(yè)化進程。

補全技術拼圖，構建完整電壓平臺

據(jù)世界先進公告指出，此次技術授權將直接助力公司加速開發(fā)并拓展新一代氮化鎵功率元件，目標市場聚焦于對電能轉換效率要求極高的數(shù)據(jù)中心、車用電子、工業(yè)控制及能源管理等領域。

此次授權的戰(zhàn)略意義在于補全了世界先進在氮化鎵領域的技術版圖。通過此次授權，世界先進得以將其現(xiàn)有的硅襯底功率氮化鎵（GaN-on-Si）制程能力擴展至650V的高壓應用領域，從而形成一個完整的GaN-on-Si技術平臺。更重要的是，結合世界先進原本已擁有的新襯底功率氮化鎵（GaN-on-QST）制程平臺，公司將成為全球首家、也是目前唯一一家能夠同時提供基于硅襯底和新襯底兩種不同技術路線的氮化鎵晶圓制造服務的公司。

這一獨特的雙平臺優(yōu)勢，使得世界先進能夠為客戶提供覆蓋自低壓（小于200V）、中高壓（650V）乃至超高壓（1200V）的完整電壓范圍產品解決方案，為其在高效率電能轉換市場的競爭奠定了難以復制的技術基礎。

硅基逼近極限，氮化鎵乘勢而起

本次合作的深層驅動力，源于半導體行業(yè)對更高能效的持續(xù)追求。隨著傳統(tǒng)硅基功率半導體逐漸逼近其材料物理極限，以氮化鎵為代表的第三代半導體材料憑借其寬禁帶特性，展現(xiàn)出高效率、高功率密度、高開關頻率及更小體積等顯著優(yōu)勢，正成為突破現(xiàn)有電源技術瓶頸的關鍵。尤其是在快速充電、5G通信基站、新能源汽車及工業(yè)電源等場景中，氮化鎵技術已成為實現(xiàn)設備小型化、輕量化和高效化的核心路徑。

世界先進正積極構建覆蓋15V至1200V的寬電壓氮化鎵制程技術版圖。公司表示，通過本次授權獲得的技術，將被精準打造為一個能與公司現(xiàn)有制程平臺無縫接軌的氮化鎵制程平臺，并將依托其成熟的八英寸晶圓生產線進行工藝驗證與優(yōu)化，以確保最終量產時的制程穩(wěn)定性與高良率。

產業(yè)影響與展望

根據(jù)規(guī)劃，相關的技術開發(fā)與整合工作預計將于2026年初正式啟動，并瞄準在2028年上半年實現(xiàn)量產。

對于此次授權，世界先進總經理尉濟時博士表示：“此次技術授權不僅展現(xiàn)了世界先進與臺積電之間持續(xù)且深入的技術交流與合作成果，更象征著我們致力于推動完整氮化鎵產品解決方案、強化在化合物半導體領域戰(zhàn)略布局的堅定承諾。”他進一步強調，通過整合此項技術，世界先進將能更快速地響應客戶在高效能電能轉換應用領域日益增長的需求，共同推動半導體電源技術邁向新世代，助力實現(xiàn)綠色能源與智慧應用的未來愿景。

此次臺積電向世界先進授權氮化鎵技術，是產業(yè)鏈上下游協(xié)同創(chuàng)新的一個典型案例。對于臺積電而言，通過授權其領先的氮化鎵技術給緊密的合作伙伴，有助于進一步擴大其技術生態(tài)圈的影響力，加速GaN技術的市場滲透與應用多元化。此前，臺積電也已與其他國際大廠簽署過類似的氮化鎵技術授權協(xié)議，顯示出其在該領域推行開放合作策略的一貫性。

對于世界先進而言，此舉無疑是其多元化特色工藝平臺戰(zhàn)略的重要落子。在全球節(jié)能減排趨勢不可逆轉的當下，高效功率半導體市場需求持續(xù)看漲。成功整合并量產雙襯底氮化鎵工藝后，世界先進不僅能鞏固其在電源管理IC代工領域的既有優(yōu)勢，更有望在蓬勃發(fā)展的車載、能源基礎設施等高端市場開辟全新的增長曲線。