臺美半導(dǎo)體結(jié)盟新里程碑 英特爾、聯(lián)電傳世紀(jì)大合作
英特爾與聯(lián)電(2303)傳將進行「世紀(jì)大合作」,英特爾要把獨家用于下世代埃米級制程與先進封裝關(guān)鍵的獨家技術(shù)「Super MIM」超級電容授權(quán)聯(lián)電,聯(lián)電技術(shù)能力將大躍進,雙方并將攜手搶攻AI世代大商機,樹立臺美半導(dǎo)體合作新里程碑。
對于相關(guān)消息,聯(lián)電表示,目前與英特爾的合作重心仍放在12奈米平臺,持續(xù)強化制程競爭力與客戶服務(wù),但未來不排除擴大合作范圍,朝更多元技術(shù)領(lǐng)域發(fā)展。
消息人士透露,聯(lián)電內(nèi)部已有專門團隊開始對此新合作「動起來」。英特爾則不評論。
業(yè)界指出,隨著電晶體尺寸持續(xù)微縮,芯片在高負載運算時會出現(xiàn)劇烈瞬時電流需求,傳統(tǒng)去耦電容面臨容量密度不足或漏電流過高等瓶頸,已難以支撐埃米級芯片運作穩(wěn)定。
Super MIM是英特爾揮軍埃米級制程的關(guān)鍵技術(shù),藉由該電容技術(shù),解決先進制程下電源噪聲與瞬時功率波動問題,堪稱英特爾邁入下世代制程節(jié)點的秘密武器。
據(jù)了解,英特爾Super MIM超級電容采用鐵電鉿鋯氧化物(HZO)、氧化鈦(TiO)、鈦酸鍶(STO)等材料堆疊,可在相容既有后段制程(BEOL)的情況下,大幅提升單位面積電容密度,并顯著降低漏電水準(zhǔn)。
該技術(shù)可在芯片內(nèi)部即時提供瞬間電流支援、抑制電壓下陷與電源雜訊,被視為18A等埃米級制程能否順利量產(chǎn)的關(guān)鍵電力基礎(chǔ)模組之一。
消息人士透露,英特爾正規(guī)劃優(yōu)先將Super MIM超級電容技術(shù)向下導(dǎo)入與聯(lián)電既有合作的12奈米/14奈米制程平臺,并延伸至先進封裝相關(guān)應(yīng)用。
業(yè)界分析,透過取得英特爾相關(guān)授權(quán),聯(lián)電在關(guān)鍵電力技術(shù)先行商品化與模組化再邁進大步,并建立其成熟先進制程與先進封裝領(lǐng)域差異化技術(shù)門檻。
若聯(lián)電成功導(dǎo)入英特爾Super MIM超級電容技術(shù),將不僅是單一制程優(yōu)化,而是取得「先進電力模組」這項跨世代關(guān)鍵能力,有助其切入AI加速器、高速運算、先進封裝電源層等高附加價值應(yīng)用,對聯(lián)電整體技術(shù)平臺與客戶結(jié)構(gòu)具指標(biāo)意義。