1月16日，在美光科技（Micron Technology）位于紐約州錫拉丘茲的新晶圓廠破土動工儀式上，美國商務部長霍華德·盧特尼克（Howard Lutnick）發(fā)出警告：所有希望向美國市場出口存儲芯片的企業(yè)——尤其是來自韓國和中國臺灣的廠商——若不在美國本土投資建廠，將面臨高達100%的進口關稅。

“以關稅換投資”，是特朗普政府第二任期強化“制造業(yè)回流”戰(zhàn)略的關鍵一環(huán)。早在2025年8月，白宮就曾宣布考慮對所有進口半導體征收100%關稅，但隨后暫緩實施，轉而采取“談判優(yōu)先”策略，試圖通過雙邊協(xié)議換取外國企業(yè)在美國的大規(guī)模投資。

近日，美國與中國臺灣地區(qū)達成的貿易協(xié)議，正是這一思路的樣板：臺積電等企業(yè)承諾新增至少2500億美元對美直接投資。美國給予的“半導體關稅豁免”的條件是：中國臺灣半導體廠商承諾在美國設廠，在建廠期間，就可以免關稅進口相當于建廠產(chǎn)能2.5倍的半導體。

盧特尼克明確指出，“與中國臺灣協(xié)議中的條款也可能適用于韓國企業(yè)”。

盡管未點名三星電子（Samsung Electronics）或SK海力士（SK Hynix），但這兩家韓國巨頭合計占據(jù)全球DRAM和NAND閃存市場逾60%的份額，是美國數(shù)據(jù)中心、人工智能（AI）服務器及消費電子產(chǎn)業(yè)鏈的核心供應商。

在AI算力需求爆發(fā)式增長的背景下，高帶寬存儲芯片（HBM）嚴重供不應求，價格持續(xù)飆升，美國本土卻幾乎無法自給——美光雖為第三大存儲芯片廠商，但其大部分產(chǎn)能仍布局于日本、新加坡及中國臺灣。

正因如此，美國對韓臺企業(yè)的依賴構成了其政策杠桿的基礎。盧特尼克直言：“所有想生產(chǎn)存儲芯片的人都有兩個選擇：要么支付100%關稅，要么在美國建廠。”這不僅是經(jīng)濟脅迫，更是一種精心設計的“產(chǎn)業(yè)置換”戰(zhàn)略——通過關稅壁壘迫使全球頂尖制造商將先進制程和封裝能力轉移至美國本土，從而重塑全球半導體供應鏈格局。

實際上，三星在2024年已宣布將對美投資總額提升至超400億美元，涵蓋得克薩斯州泰勒市的兩座先進邏輯晶圓廠、一個研發(fā)中心及一座HBM先進封裝設施，并擴建奧斯汀現(xiàn)有工廠。SK海力士則計劃在印第安納州投入近40億美元建設先進封裝廠，作為其150億美元美國投資計劃的一部分。這些舉措顯然意在爭取未來可能的關稅豁免資格。

根據(jù)7月公布的美韓達成的協(xié)議內容，美國計劃對源自韓國的大多數(shù)商品加征15%的關稅，同時暫時對芯片進口予以豁免。據(jù)悉，這份協(xié)議涵蓋了一項規(guī)模達3500億美元的韓國對美投資基金，但相關計劃目前仍在規(guī)劃制定階段。目前尚不清楚三星和SK海力士除了此前已作出的承諾之外，還會同意在美國追加多少投資。

值得一提的是，當時韓國政府得到了一個原則性的承諾，即不會受到比其競爭對手中國臺灣更不利的待遇。特朗普政府官員在回應韓聯(lián)社的提問“與中國臺灣達成的半導體關稅豁免標準是否也適用于韓國？”時也表示，“將為不同的國家和地區(qū)單獨達成協(xié)議。”這或許意味著韓國廠商的豁免的標準可能會比中國臺灣更為寬松。