今年全國(guó)兩會(huì)，全國(guó)人大代表、中國(guó)科學(xué)院院士郝躍就集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展帶來(lái)相關(guān)建議。郝躍在接受《中國(guó)科學(xué)報(bào)》采訪(fǎng)時(shí)表示，既要聚焦核心關(guān)鍵的“卡脖子”難題，破解半導(dǎo)體芯片發(fā)展中的底層技術(shù)瓶頸；更要重視那些我國(guó)已處于國(guó)際并跑甚至局部領(lǐng)跑位置的領(lǐng)域，通過(guò)強(qiáng)化優(yōu)勢(shì)，搶占全球產(chǎn)業(yè)的前排位置。

“‘十五五’將是我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)從跟隨轉(zhuǎn)向引領(lǐng)的關(guān)鍵轉(zhuǎn)折期，也是在一些新興賽道上確立國(guó)際領(lǐng)先地位的重要窗口。”郝躍說(shuō)。

在他看來(lái)，第三代半導(dǎo)體（氮化鎵、碳化硅等）、第四代半導(dǎo)體（如氧化鎵、金剛石、氮化鋁等超寬禁帶半導(dǎo)體）、光子芯片、低維半導(dǎo)體信息材料與器件等領(lǐng)域，目前我國(guó)已具備較好的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力，只要持續(xù)發(fā)力，極有可能在細(xì)分賽道上實(shí)現(xiàn)全球領(lǐng)跑。

郝躍（左四）及團(tuán)隊(duì)在實(shí)驗(yàn)室。受訪(fǎng)者供圖

如何把優(yōu)勢(shì)真正落地？郝躍認(rèn)為，必須結(jié)合本土資源與產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)，圍繞后摩爾時(shí)代的產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)，發(fā)揮好我國(guó)的獨(dú)特稟賦。

“我國(guó)掌握著全球95%以上的鎵資源，且對(duì)鎵、鍺等半導(dǎo)體關(guān)鍵材料已實(shí)施出口管制，這是其他國(guó)家不具備的產(chǎn)業(yè)籌碼。”他建議，依托這一稀有資源稟賦，推動(dòng)化合物半導(dǎo)體、光電顯示、新型傳感器等產(chǎn)業(yè)形成規(guī)模化、高競(jìng)爭(zhēng)力的全球布局。

在新興存儲(chǔ)器領(lǐng)域，郝躍也持相對(duì)樂(lè)觀的判斷。他表示，我國(guó)在Flash閃存、鐵電存儲(chǔ)器、磁電存儲(chǔ)器（MRAM）、相變存儲(chǔ)器（PCM）等方面已有不錯(cuò)的技術(shù)積累，在全球已有重要影響，只要持續(xù)推進(jìn)技術(shù)迭代和產(chǎn)業(yè)化落地，就能牢牢把握主動(dòng)權(quán)。

不過(guò)，郝躍也直言當(dāng)前產(chǎn)業(yè)支持機(jī)制中還存在一定的短板。他指出，例如集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金（大基金）的投資風(fēng)格偏謹(jǐn)慎，資金更多流向較成熟期或臨近上市的企業(yè)，屬于“錦上添花”，而新興領(lǐng)域支持不足。比如對(duì)第四代半導(dǎo)體、低維材料和新型存儲(chǔ)器等領(lǐng)域可加大支持力度。他建議，針對(duì)那些我國(guó)已有技術(shù)優(yōu)勢(shì)的方向，加大投入、加速轉(zhuǎn)化，“既要‘錦上添花’，更需要‘雪中送炭’”。

產(chǎn)業(yè)發(fā)展離不開(kāi)人才支撐，尤其面向“十五五”及未來(lái)，培養(yǎng)符合產(chǎn)業(yè)需求的創(chuàng)新型人才是當(dāng)務(wù)之急。郝躍表示，在國(guó)家相關(guān)部門(mén)對(duì)電子信息領(lǐng)域緊缺人才培養(yǎng)相關(guān)政策措施支持下，例如設(shè)立專(zhuān)門(mén)的人才培養(yǎng)指標(biāo)，開(kāi)辟更多培養(yǎng)渠道，優(yōu)化集成電路、微電子等專(zhuān)業(yè)的培養(yǎng)機(jī)制等，集成電路的人才需求已經(jīng)有了明顯的改善。“進(jìn)一步，大學(xué)應(yīng)從科教融合、產(chǎn)教融合、國(guó)際合作等方面入手，注重培養(yǎng)學(xué)生的責(zé)任感、創(chuàng)新思維、批判性思維和團(tuán)隊(duì)協(xié)作能力，鼓勵(lì)他們聚焦產(chǎn)業(yè)真問(wèn)題開(kāi)展研究，把實(shí)操能力和創(chuàng)新能力結(jié)合起來(lái)，最終培養(yǎng)出真正符合產(chǎn)業(yè)需求的復(fù)合型人才。”