三星電子的晶圓代工業(yè)務長期虧損。證券機構估計，三星晶圓代工部門2025年的營業(yè)虧損約為6萬億韓元（約合人民幣288億元）。然而，隨著今年2nm工藝的全面投產，預計營業(yè)虧損規(guī)模將減少至約3萬億韓元（約合人民幣144億元）。

三星電子宣布計劃于2026年下半年開始量產2nm先進晶圓代工工藝。在1月29日舉行的2025年第四季度財報會議上，三星電子表示：“第二代2nm工藝的研發(fā)進展順利，目前已達到良率和性能目標，目標是在今年下半年實現(xiàn)量產。”

三星電子進一步解釋道：“我們正在與主要客戶同步開展產品設計的性能、功耗和面積（PPA）評估和測試芯片合作，因此量產前的技術驗證工作正按計劃進行。”

三星電子正準備在美國得州泰勒新工廠基于2nm工藝進行半導體量產。2026年是三星電子半導體事業(yè)部在美國運營的第30個年頭，該事業(yè)部希望通過得州泰勒晶圓代工廠的投產實現(xiàn)新的飛躍。

得州泰勒先進晶圓代工廠總投資達370億美元（約合55萬億韓元），正在建設3nm及以下的尖端工藝生產線，以滿足人工智能（AI）和自動駕駛等高性能計算（HPC）的需求，目前已進入最后的準備階段，預計將于2026年投產。2025年7月，泰勒晶圓廠成功拿下包括特斯拉自動駕駛芯片AI6在內的訂單，標志著三星晶圓代工業(yè)務的復蘇。此前，三星晶圓代工業(yè)務已陷入長時間的困境。

然而，全球晶圓代工企業(yè)在美國市場的競爭日趨激烈。

臺積電率先采取行動。在1月15日發(fā)布的2025年第四季度財報中，臺積電公布了其史上規(guī)模最大的投資計劃，投資額在520億~560億美元之間。

技術差距也是亟待解決的一大挑戰(zhàn)。三星電子的2nm工藝良率約為50%，遠低于臺積電70%~90%的良率水平。

市場份額差距也顯著擴大。2025年，臺積電占據(jù)全球晶圓代工市場70%的份額，領先第二名三星電子（7%）63個百分點。美國政府對本土企業(yè)英特爾的全力支持，也給三星的晶圓代工業(yè)務帶來了更大的競爭壓力。美國政府向英特爾投資約89億美元，甚至成為了英特爾的最大股東。

此外，英偉達也通過向英特爾投資約50億美元進行股權收購和技術合作，為英特爾提供支持。

最近有傳言稱，英偉達可能會采用英特爾最先進的Intel 14A（1.4nm）工藝來制造其下一代圖形處理器（GPU）架構“費曼”（Feynman）所需的部分半導體。

分析表明，三星晶圓代工業(yè)務只有證明其尖端工藝技術的能力，才能重回正軌。而從特斯拉獲得的訂單量，預計將成為檢驗三星晶圓代工能力的試驗場。

如果三星能夠穩(wěn)定量產采用2nm制程工藝制造的特斯拉AI5芯片，預計這將為其贏得更多來自大型科技公司的訂單奠定基礎。

2025年，三星與特斯拉簽署了一份價值165億美元的半導體供應合同，進一步提升了其2nm技術的可靠性。近期有報道稱，三星正在與谷歌、AMD等公司洽談基于2nm制程工藝的AI芯片量產合作。

此外，三星電子正積極通過“交鑰匙工程”提升自身競爭力，提供從半導體設計到代工、存儲器和先進封裝的一站式解決方案。這被認為是三星電子獨有的強大差異化優(yōu)勢，而臺積電則不具備這一優(yōu)勢。

三星電子晶圓代工事業(yè)部副總裁Kang Seok-chae表示：“我們預計今年面向HPC和AI應用的2nm工藝訂單項目數(shù)量將比上年增長130%以上。”

他還提及了1.4nm工藝路線圖。Kang Seok-chae解釋道：“1.4nm制程正在研發(fā)中，目標是在2029年實現(xiàn)量產，目前已按計劃取得重大進展。”他補充道：“我們計劃在2027年下半年向客戶分發(fā)PDK（工藝設計套件）1.0版本。”

下一代智能半導體事業(yè)部總監(jiān)（首爾大學名譽教授）Kim Hyung-jun解釋道：“美國的目標是將國內芯片生產比例提高到30%左右，很可能希望三星電子能夠填補臺積電無法滿足的缺口。”他強調：“確保三星電子的技術能力迫在眉睫。”