MS18_R1_00001_SMA_肖特基二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SMA 類別：肖特基二極管 最小包裝：2000/圓盤 參數(shù)1：IF:1A 參數(shù)2：VR:80V 參數(shù)3：VF:0.85V 參數(shù)4：IR:200uA 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該肖特基二極管為獨立式配置，具有1A的平均正向電流（IF）和80V的反向重復峰值電壓（VR）。其正向壓降（VF）典型值為0.85V，在導通狀態(tài)下能有效降低功耗。反向漏電流（IR）在額定條件下為200μA，表現(xiàn)出良好的反向阻斷特性。器件可承受高達30A的正向浪涌電流（IFSM），適用于對效率和瞬態(tài)響應有一定要求的電源整流、開關模式電源及高頻電路等場景，具備快速恢復與低損耗的特點。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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