GSF3404_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤(pán) 參數(shù)1：ID:5.8A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:22mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具有30V的漏源擊穿電壓（VDSS）和5.8A的連續(xù)漏極電流（ID），在導(dǎo)通狀態(tài)下其導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）典型值為22毫歐。器件采用標(biāo)準(zhǔn)封裝結(jié)構(gòu)，適用于對(duì)效率和熱性能有一定要求的電源管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)及電池供電類(lèi)應(yīng)用場(chǎng)合。其低導(dǎo)通電阻有助于減少導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)整體能效，同時(shí)穩(wěn)定的電氣特性可保障在多種工作條件下的可靠運(yùn)行。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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