SI4884BDY-T1-GE3-HXY_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：ID:15A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:7.5mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道MOSFET具有15A的連續(xù)漏極電流（ID）和30V的最大漏源電壓（VDSS），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為7.5毫歐。低導(dǎo)通電阻有助于降低導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)效率，適用于對功率密度和熱性能有要求的電子設(shè)備。典型應(yīng)用場景包括開關(guān)電源、便攜式設(shè)備的電源管理、電機驅(qū)動及各類需要高效開關(guān)操作的電路中，能夠在高頻率工作條件下保持穩(wěn)定可靠的性能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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