DMN3032L-7-HXY_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：ID:5.8A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:22mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道MOSFET具有5.8A的連續(xù)漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，在柵源驅(qū)動(dòng)電壓適配條件下導(dǎo)通電阻低至22毫歐。其低導(dǎo)通電阻有助于減少功率損耗，提升系統(tǒng)效率，適用于電源開關(guān)、負(fù)載控制以及便攜式電子設(shè)備中的高效功率管理場景。器件在中等電流應(yīng)用中表現(xiàn)出良好的熱穩(wěn)定性和開關(guān)響應(yīng)特性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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