DMN3032L-13-HXY_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：ID:5.8A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:22mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道MOSFET的連續(xù)漏極電流為5.8A，最大漏源電壓為30V，導(dǎo)通電阻為22毫歐。其參數(shù)組合適用于中等功率應(yīng)用場景，在保證一定電流承載能力的同時，兼顧開關(guān)效率與功耗控制。器件適合用于電源管理模塊、負(fù)載開關(guān)、便攜設(shè)備供電系統(tǒng)以及對空間和熱耗有約束的電子裝置中，能夠支持穩(wěn)定可靠的開關(guān)操作。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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