AON7702B_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:35A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:7.5mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道MOSFET具有35A的連續(xù)漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為7.5毫歐。器件在中等電流應(yīng)用中表現(xiàn)出良好的導(dǎo)通特性和熱穩(wěn)定性，適用于對體積和效率有要求的電源管理場景。典型用途包括便攜式電子設(shè)備的電源開關(guān)、多相供電系統(tǒng)中的負(fù)載切換，以及需要頻繁啟停或脈沖工作的電路結(jié)構(gòu)，能夠在保持較低功耗的同時(shí)實(shí)現(xiàn)可靠的開關(guān)性能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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