DMN3033LSN-7-HXY_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：ID:5.8A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:22mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備5.8A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為22毫歐。其電氣特性適用于中等功率的開關應用，在確保可靠運行的同時有效控制導通損耗。該器件適合用于電源管理模塊、便攜式設備的電源切換、電池保護電路以及各類消費類電子產品中的高效能開關控制，能夠在有限空間內實現良好的熱性能與電氣穩定性。
