MDD50N03D_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:7mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道MOSFET的連續漏極電流（ID）為60A，最大漏源電壓（VDSS）為30V，導通電阻（RDS(on)）典型值為7毫歐。其低導通電阻有助于在高電流工作條件下有效降低導通損耗，提升整體能效。器件適用于對功率密度和熱性能有較高要求的場合，如電源轉換、電機控制及高頻開關電路等，能夠在緊湊布局中保持良好的電氣性能與穩定性。
