NTMFS4921NT3G_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5.7mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備60A的連續漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS），以及5.7毫歐的導通電阻（RDS(ON)）。低導通電阻有助于顯著降低導通損耗，提升系統效率并改善熱表現。器件適用于高電流、高頻開關場景，常見于電源轉換模塊、電池供電設備、電機驅動電路及各類對能效和功率密度有較高要求的電子系統中。
