NTMFS4926NET3G_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4.7mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有80A的連續漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為4.7毫歐，柵源電壓（VGS）額定值為20V。其極低的導通電阻有助于顯著降低導通損耗，在高電流應用中維持較低溫升。適用于對效率和熱性能要求較高的電源系統，如大電流負載開關、同步整流電路以及高密度DC-DC轉換模塊，能夠在高頻開關條件下保持穩定可靠的運行特性。
