DMN3032LQ-7-HXY_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：ID:5.8A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:22mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備30V的漏源擊穿電壓（VDSS），在柵源電壓為12V時，導通電阻（RDS(ON)）為22毫歐，最大連續漏極電流（ID）達5.8A。其低導通電阻特性有助于有效降低導通狀態下的功率損耗，適用于電源管理、負載開關、同步整流及各類對能效和熱性能有較高要求的電子電路中。
