FDMS7682-NC_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4.7mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有80A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為4.7毫歐，柵源驅動電壓（VGS）最高可達20V。其大電流承載能力與低導通損耗特性，使其適用于高效率開關電源、電池供電設備、電機驅動及各類功率轉換系統，在高負載或高頻操作條件下仍能維持穩定性能。
