NVMFS4841NT1G_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:80A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:4.7mR 參數(shù)4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道MOSFET具備80A的連續(xù)漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導通電阻為4.7毫歐，在柵源電壓達20V時可穩(wěn)定工作。其低導通電阻有效降低導通狀態(tài)下的功率損耗，提升系統(tǒng)能效。適用于高電流、低電壓環(huán)境下的電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動及高頻開關(guān)電路等場合，能夠在緊湊布局中實現(xiàn)良好的熱性能與電氣特性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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