TPCC8009,LQ(O_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:40A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具有40A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為5mΩ。在常規驅動條件下，其低導通電阻有助于有效降低導通損耗，提升系統效率，并減少散熱需求。該器件適用于對功率密度和能效有較高要求的電源管理應用，如開關電源、DC-DC轉換器及高頻功率開關電路，能夠支持緊湊型設計并維持穩定的工作性能。
