G30N03D3_DFN3X3-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:40A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:5mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具有40A的連續(xù)漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）低至5毫歐。其低導(dǎo)通電阻有助于減少導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)效率，適用于對(duì)功率密度和熱性能有較高要求的電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及高頻開關(guān)等應(yīng)用場(chǎng)景。器件結(jié)構(gòu)支持快速開關(guān)特性，在高頻率工作條件下仍能保持穩(wěn)定性能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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