NTMFS4C10NT1G_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5.7mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備60A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至5.7毫歐。其大電流承載能力與極低導通損耗相結合，適合高效率、高密度的功率轉換場合。在開關電源、電機驅動、電池充放電控制及各類高負載電子設備中，能夠有效降低發熱并提升系統整體能效，滿足對熱管理和電氣性能要求較高的應用場景。
