AON7522E_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:120A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:2.9mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具備30V的漏源擊穿電壓（VDSS），連續漏極電流（ID）高達120A，導通電阻（RDS(ON)）僅為2.9毫歐。其極低的導通電阻有效降低了導通狀態下的功率損耗，適用于大電流、高效率要求的電源管理場合。典型應用包括高性能計算設備的供電模塊、服務器電源、電動工具驅動電路以及高密度DC-DC轉換系統，能夠在緊湊空間內實現優異的熱性能與電氣穩定性。
