SIRA18DDP-T1-UE3-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5.7mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有30V的漏源擊穿電壓（VDSS）、60A的連續漏極電流（ID），以及僅5.7毫歐的導通電阻（RDS(ON)）。其極低的導通電阻有效降低了導通狀態下的功率損耗，適合在大電流工作條件下維持較高的能效。常用于高效率開關電源、大功率便攜設備、電動工具驅動電路及需要頻繁開關操作的電子系統中，能夠支持高密度布局并提升整體熱穩定性。
