RQ3E180AJTB_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:70A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:3.5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具有70A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導通電阻低至3.5毫歐。器件采用標準封裝結構，適用于對導通損耗和效率要求較高的電源管理場景。其低RDS(ON)特性有助于減少發熱，提升系統整體能效，在高頻開關應用中表現出良好的動態性能。由于具備較高的電流承載能力和穩定的電氣特性，可廣泛用于各類直流轉換、電池保護及負載開關等電路中。
