IRLR8113PBF-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備80A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為5毫歐。其低導通電阻有助于減少導通損耗，提升整體能效，適用于高電流、高頻率的開關電路。器件在大電流工作條件下仍能維持較低溫升，適合用于對熱管理和效率有較高要求的電源管理、電池供電系統及各類緊湊型電力轉換模塊中。
