NVMFS5C450NWFT3G_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:130A 參數2：VDSS:40V 參數3：RDON:2.8mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有40V的漏源擊穿電壓（VDSS）、130A的連續漏極電流（ID），以及2.8毫歐的導通電阻（RDS(on)）。低導通電阻有助于顯著降低導通狀態下的功率損耗，提升整體能效。適用于高電流開關電源、大功率DC-DC轉換、電池管理系統及各類對效率和熱性能要求較高的電子裝置，在高頻或持續大電流工作條件下仍可保持穩定可靠的電氣特性。
