DMN3010LSS-13-HXY_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：ID:18A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備18A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為5毫歐，柵源驅動電壓（VGS）額定值為20V。低導通電阻有助于降低導通狀態下的功率損耗，提升系統效率。器件適用于中等功率的開關電源、負載開關及電池供電設備中的功率路徑控制，其電氣特性支持穩定可靠的高頻開關操作。
