NTD4906NT4G-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備80A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）僅為5毫歐。低導通電阻有效降低導通狀態下的功率損耗，提升整體能效。器件適用于高電流、高效率要求的電源轉換場合，如開關電源、便攜式儲能設備及各類需要頻繁開關操作的電子系統中，能夠提供穩定可靠的性能表現。
