NVMFS5C450NT1G_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:130A 參數2：VDSS:40V 參數3：RDON:2.8mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有130A的連續漏極電流（ID）、40V的漏源擊穿電壓（VDSS），以及低至2.8毫歐的導通電阻（RDS(ON)）。其低導通電阻有助于顯著降低導通損耗，提升系統效率，適用于高電流開關電源、電池充放電控制、電動工具驅動及大功率直流轉換等應用。在持續高負載運行條件下，器件仍能維持穩定的電氣特性和良好的熱表現。
