NVD4810NT4G-VF01-HXY_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:60A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:7mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
該N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有60A的連續(xù)漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）低至7毫歐。其低導(dǎo)通電阻有助于減少導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)效率，適用于對功率密度和熱性能有較高要求的電源管理、電機驅(qū)動及高頻開關(guān)電路等場景。器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化了開關(guān)特性，在保持高電流承載能力的同時，確保穩(wěn)定可靠的運行表現(xiàn)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
