NTMFS4921NT1G-HXY_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤(pán) 參數(shù)1：ID:60A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:5.7mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具有60A的連續(xù)漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS），以及低至5.7毫歐的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）。其低導(dǎo)通電阻有效降低了導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗，有助于提升整體能效和熱穩(wěn)定性。該器件適合用于高效率電源轉(zhuǎn)換、電池管理系統(tǒng)、電機(jī)控制及各類對(duì)開(kāi)關(guān)性能和導(dǎo)通損耗敏感的電子設(shè)備中，在頻繁開(kāi)關(guān)或大電流運(yùn)行條件下均能保持良好性能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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