DMT3009UFVW-7-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:30A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:9mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具備30A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為9毫歐。其低導通電阻有助于降低導通狀態下的功率損耗，提升系統效率。適用于中低電壓應用場景中的開關與功率控制功能，例如電源轉換、負載開關及便攜式設備中的高效能管理模塊，能夠滿足對熱性能和能效有較高要求的設計需求。
