GSFN0390_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:100A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:2.5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備100A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至2.5毫歐。其極低的導通電阻顯著降低導通損耗，適用于大電流、高效率要求的電源轉換、電池充放電控制、電機驅動及同步整流等應用。器件在高頻開關條件下仍能保持良好的熱性能與電氣穩定性，適合對功率密度和散熱有嚴苛要求的緊湊型電子系統。
