SISA12ADN-T1-GE3-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:120A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:2.9mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備120A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）僅為2.9毫歐。其極低的導通電阻有助于顯著降低導通損耗，提升系統效率，并減少散熱需求。該器件適用于高電流、高效率要求的電源轉換與配電場合，尤其在需要頻繁開關或持續大電流工作的電子系統中，能夠穩定可靠地執行功率控制功能。
