SI4884BDY-T1-E3-HXY_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOP-8 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:3000/圓盤 參數1:ID:15A 參數2:VDSS:30V 參數3:RDON:7.5mR 參數4:TYPE:N-ch 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET的連續漏極電流(ID)為15A,最大漏源電壓(VDSS)為30V,導通電阻(RDS(ON))低至7.5毫歐。憑借較低的導通電阻,器件在導通狀態下功耗較小,有助于提升整體能效。適用于需要高效功率開關的場合,如電源管理模塊、電池供電設備及各類電子負載控制電路,能夠在頻繁開關條件下保持穩定工作性能。
