SIRA88DP-T1-GE3-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5.7mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有60A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導通電阻低至5.7毫歐。其低導通電阻有助于減少導通損耗，提升整體效率，在高電流開關應用中表現優異。器件適用于對功率密度和熱性能有較高要求的場合，可廣泛用于電源管理、電機驅動及各類高效能電子系統中的功率控制環節。
