AM7302N-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:120A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:2.9mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備120A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）僅為2.9毫歐。其低導通電阻有助于顯著降低導通損耗，在高電流工作條件下維持較低溫升。適用于對效率和熱性能要求較高的開關電源、電池管理系統及大功率負載控制等電路，能夠支持高頻開關操作并提升整體系統能效。
