NTMFS4833NST1G_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:150A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:1.4mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具備150A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導通電阻低至1.4毫歐，柵源電壓額定值為20V。其極低的RDS(ON)顯著減小導通損耗，適用于高效率、大電流的電源管理與功率轉換場合，如服務器電源、電池管理系統及高性能計算設備中的負載開關。器件在高頻工作條件下仍能保持良好的熱穩定性和開關特性，有助于提升整體電路效率與可靠性。
