PJQ5420_R2_00001_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4.7mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道MOSFET具備80A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導通電阻為4.7毫歐，柵源驅動電壓最高可達20V。低導通電阻有助于顯著降低導通損耗，提升系統整體效率。器件適用于高電流開關場景，如電源轉換、電機控制及各類高效能電子設備中的功率管理模塊。其電氣特性使其在需要頻繁切換或長時間承載大電流的電路中表現穩定可靠。
