RQ3E120GNTB-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:45A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:6mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備45A的連續漏極電流，最大漏源電壓為30V，導通電阻為6毫歐，柵源驅動電壓最高可達20V。低導通電阻有助于降低導通狀態下的功率損耗，提升系統能效。器件適用于高效率電源轉換、電機控制以及各類需要頻繁開關操作的電子設備中，能夠有效支持緊湊型設計和熱管理優化。
