XP3N9R5AH_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:60A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:7mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道MOSFET具有60A的連續(xù)漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS）以及7毫歐的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）。在中等電壓應(yīng)用場(chǎng)景中，其較低的導(dǎo)通電阻有助于控制導(dǎo)通損耗，維持較高的能效水平。適用于對(duì)電流承載能力和熱穩(wěn)定性有要求的電路，如開關(guān)電源、電池充放電管理、電動(dòng)工具控制器及各類高效率功率轉(zhuǎn)換裝置，可支持穩(wěn)定可靠的高頻開關(guān)操作。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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