FDMC6296-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN3X3-8L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數1:ID:30A 參數2:VDSS:30V 參數3:RDON:9mR 參數4:TYPE:N-ch 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管(MOSFET)具有30A的連續漏極電流(ID)和30V的漏源擊穿電壓(VDSS),導通電阻(RDS(ON))低至9毫歐。其低導通電阻有助于減少導通損耗,提升系統效率,適用于對功率密度和熱性能有較高要求的電源管理、電機驅動及開關轉換等應用場景。器件采用標準封裝形式,便于在緊湊型電路布局中集成,同時確保在高負載條件下保持穩定工作特性。
