AON7538_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:60A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:4mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道MOSFET具備30V的漏源擊穿電壓（VDSS）和60A的最大連續(xù)漏極電流（ID），導通電阻（RDS(ON)）僅為4毫歐，顯著降低導通損耗。其低阻抗特性使其在高電流開關(guān)應用中表現(xiàn)出優(yōu)異的能效與熱穩(wěn)定性。適用于需要高效功率處理能力的場合，如電源轉(zhuǎn)換、電池管理系統(tǒng)及各類高密度功率模塊，能夠支持頻繁開關(guān)操作并維持較低溫升。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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