NTMFS4837NT1G-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:90A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:3.5mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有90A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至3.5毫歐，柵源電壓（VGS）最高可達20V。其極低的導通電阻有效降低導通損耗，適合在高電流、高頻開關的應用中使用，如電源模塊、電機驅動及高效能計算設備中的功率分配系統。器件在30V電壓平臺下可維持穩定運行，兼顧高效率與熱性能表現。
