TSM055N03PQ56 RLG_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤(pán) 參數(shù)1：ID:80A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:4.7mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具備80A的連續(xù)漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS）、4.7毫歐的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)），以及最大20V的柵源驅(qū)動(dòng)電壓（VGS）。低導(dǎo)通電阻有助于降低導(dǎo)通損耗，提升整體能效，同時(shí)支持高電流應(yīng)用下的穩(wěn)定運(yùn)行。適用于開(kāi)關(guān)電源、電池管理系統(tǒng)、電動(dòng)工具及各類(lèi)高效率功率轉(zhuǎn)換設(shè)備中，能夠?qū)崿F(xiàn)快速開(kāi)關(guān)與良好的熱性能表現(xiàn)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話(huà)：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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