MCG3D2N03YL-TP_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:100A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:2.5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有100A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至2.5毫歐。其極低的導通電阻有助于顯著降低導通狀態下的功率損耗，提升系統整體效率，并減少散熱需求。適用于對電流承載能力和能效要求較高的電源管理場合，如高密度電源模塊、大電流電池供電設備以及需要高效能量轉換的電子系統中，能夠支持穩定、可靠的高頻開關操作。
