IRFH5306TRPBF-HXY_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤(pán) 參數(shù)1：ID:50A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:6.5mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具有50A的連續(xù)漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS）、6.5毫歐的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)），以及20V的最大柵源電壓（VGS）。其低導(dǎo)通電阻有助于減小導(dǎo)通損耗，提高系統(tǒng)效率。該器件適用于對(duì)能效和熱管理有較高要求的電源管理應(yīng)用，如開(kāi)關(guān)電源、電池供電設(shè)備及高密度功率轉(zhuǎn)換模塊，在頻繁開(kāi)關(guān)操作中可保持穩(wěn)定可靠的電氣性能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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